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    随着开关频率和温度的升高，ESR会下降。额定纹波电流电容的纹波电流，要满足DCDC设计的输入和输出电容的RMS电流的需求。铝电解电容的额定纹波电流需要根据开关频率来修正。寿命铝电解电容的寿命比较短，选型需要注意。而寿命是和工作温度直接相关的，规格书通常给出产品最高温度时的寿命，例如105℃时，寿命为2000小时。根据经验规律，工作温度每下降10℃，寿命乘以2。如果产品的设计使用寿命为3年，也就是26280小时。则10*log2(26280/2000)=℃，那么设计工作温度不能超过65℃。聚合物铝电解电容像Intel的CPU这样的大功耗器件，一颗芯片80多瓦的功耗，核电流几十到上百安，同时主频很高，高频成分多。这时对去耦电容的要求就很高：·电容值要大，满足大电流要求；·额定RMS电流要大，满足大电流要求；·ESR要小，满足高频去耦要求；·容值稳定性要好；·表面帖装，高度不能太高，因为通常放置在CPU背面的BOTTOM层，以达到极好的去耦效果。选择聚合物铝电解电容极为合适。对于音频电路，通常需要用到耦合、去耦电容，由于音频的频率很低，所以需要用大电容，此时聚合物铝电解电容也很合适。3钽电容根据前文相关资料的来源，可以发现。国巨电容一级代理商。宝安区Y电容厂家

    耐高温耐湿性好等。比较大的缺点是温度系数很高，做振荡器的稳漂让人受不了。就温漂而言：独石电容为正温糸数+130左右，CBB为负温系数-230，用适当比例并联使用，可使温漂降到很小.就价格而言：钽、铌电容**贵，独石,CBB较便宜，瓷片电容比较低。但是有些高频零温漂黑点瓷片稍贵，云母电容Q值较高，也比较贵。电容器的标称参数主要参数：标称容量以及允许偏差。目前我国采用的固定式标称容量系列是：E24，E12,E6系列。他们分别使用的允许偏差是+-5%+-10%+-20%。标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量。云母和陶瓷介质电容器的电容量较低(大约在5000pF以下)；纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容量居中；通常电解电容器的容量较大。电容的标称值分为E24、E12、E6三个系列：E6系列为**常用的，E12系列次之，E24系列又次之。E24系列的取值为、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、乘以10的n次方；E12系列的取值为、、、、、、、、、、、；E6系列的取值为、、、、、。电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-。罗湖区安规电容专卖店华科高压电容原装现货。

    它是一个多层叠合的结构，由多个简单平行板电容器的并联体。独石电容的特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定。耐高温耐湿性好等。大的缺点是温度系数很高，做振荡器的稳漂让人受不了。就温漂而言：独石电容为正温糸数+130左右，CBB为负温系数-230，用适当比例并联使用，可使温漂降到很小.就价格而言：钽、铌电容贵，独石,CBB较便宜，瓷片电容低。但是有些高频零温漂黑点瓷片稍贵，云母电容Q值较高，也比较贵。电容器的标称参数主要参数：标称容量以及允许偏差。目前我国采用的固定式标称容量系列是：E24，E12,E6系列。他们分别使用的允许偏差是+-5%+-10%+-20%。标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量。云母和陶瓷介质电容器的电容量较低(大约在5000pF以下)；纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容量居中；通常电解电容器的容量较大。电容的标称值分为E24、E12、E6三个系列：E6系列为常用的，E12系列次之，E24系列又次之。E24系列的取值为、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、乘以10的n次方；E12系列的取值为、、、、、、、、、、、；E6系列的取值为、、、、、。电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。

    引申阅读·ThinFilmCapacitor-AVX·Ceramiccapacitor·BMEandPMECeramic’sHiddenProperty-KEMET陶瓷介质的分类根据EIA-198-1F-2002，陶瓷介质主要分为四类：ClassI：具有温度补偿特性的陶瓷介质，其介电常数大都较低，不超过200。通常都是顺电性介质(Paraelectric)，温度、频率以及偏置电压下，介电常数比较稳定，变化较小。损耗也很低，耗散因数小于。截图自MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors，Page26性质极稳定，应用极多的是C0G电容，也就是NP0。NP0是IEC/EN60384-1标准中规定的代号，即NegativePositiveZero，也就是用N和P来表示正负偏差。由于介电常数低，C0G电容的容值较小，极大可以做到，0402封装通常极大只有1000pF。ClassII，III：其中，温度特性A-S属于ClassII，介电常数几千左右。温度特性T-V属于ClassIII，介电常数极高可以到20000，可以看出ClassIII的性能更加不稳定。根据IEC的分类，ClassII和III都属于第二类，高介电常数介质。像X5R和X7R都是ClassII电容，在电源去耦中应用较多，而Y5V属于ClassIII电容，性能不太稳定，个人觉得现在应用不多了。截图自MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors。国巨安规电容原装现货。

    Multi-layerCeramicCapacitor)多层陶瓷电容，也就是MLCC，片状(Chip)的多层陶瓷电容是目前世界上使用量极大的电容类型，其标准化封装，尺寸小，适用于自动化高密度贴片生产。也就是我自己设计的主板，自己拍的照片，加了艺术效果；没有标引用和出处的图片和内容，绝大多数都是我自己画或弄出来的，剩下一点点可能疏忽忘加了；标引用的图片，很多都是我重新加工的，例如翻译或几张图拼在一起等等，工具很土EXCEL+截图。多层陶瓷电容的内部结构如下图所示：原图出自SMDMLCCforHighPowerApplications-KEMET多层陶瓷电容生产流程如下图所示：原图出自Capacitors,Part2"CeramicCapacitors[1]"由于多层陶瓷需要烧结瓷化，形成一体化结构，所以引线(Lead)封装的多层陶瓷电容，也叫独石(Monolithic)电容。在谈谈电感中也介绍过多层陶瓷工艺和ThinFilm工艺。ThinFilm技术在性能或工艺控制方面都比较先进，可以精确的控制器件的电性能和物理性能。因此，ThinFilm电容性能比较好，极小容值可以做到，而容差可以做到；比通常MLCC要好很多，像Murata的GJM系列，极小容值是，容差通常都是；因此，ThinFilm电容可以用于要求比较高的RF领域，AVX有Accu-P®系列。风华电容原装现货就找巨新科。光明区瓷片电容质量好的

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    SuperCapacitor）超级电容器：一种相对传统电容器而言具有更高容量的一种电容器。是介于电容器和电池之间的储能器件，它既具有电容器可以快速充放电的特点，又具有电池的储能特性。通过极化电解质来储存能量，它与普通电容的比较大区别是它是一种电化学的物理部件，但本身并不进行化学反应，超级电容的储电量特别大，达到法拉级的电容量。由于具有功率密度高、循环寿命长、安全可靠等特点，现已已经被广泛应用于混合电动汽车、直流大功率输出设备等多个领域。超级电容器在结构上与电解电容器非常相似，两者的主要区别在于制造电极的材料。早期的超级电容器的电极采用碳，碳电极材料的表面积很大，电容的大小取决于表面积和电极的距离，这种碳电极的大表面积再加上很小的电极距离，使超级电容器的容值可以非常较大多数超级电容器可以做到法拉级，一般容值范围为1～5000F。[1]如何让超级电容器兼具高功率、高能量，长期以来科学家一直都在寻找理想的材料。超级电容器和电池或电解电容器的主要区别是电极材料来自网上侵删事件聚焦:什么是超级电容？它们能否在未来的电动汽车中取代电池？。宝安区Y电容厂家

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